DDR5內(nèi)存條擁有哪些先進(jìn)的技術(shù)
01 等效頻率成倍提升——跑得更快DDR5最耀眼的技術(shù)升級(jí)，都是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”跨越式增長(zhǎng)至“4800MHz”,，甚至隨著當(dāng)下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉?。頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無(wú)論是在讀取測(cè)試、寫入測(cè)試,，還是復(fù)制、延時(shí)方面,，從跑分結(jié)果而言,，DDR5無(wú)疑是超前，提升更是巨幅的
這也是眾多用戶,，對(duì)于DDR5內(nèi)存的第一印象，也是最易接受的技術(shù)創(chuàng)新,，即頻率提升帶來(lái)的跑分提升,，讓計(jì)算機(jī)在理論上能夠“跑得更快”了。
02 DRAM容量提升——容量更大內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術(shù)提升的重點(diǎn)方向,，在JEDEC的DDR4規(guī)范中,，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時(shí)代,，單顆Die的容量上到64Gb的高度,。
換句話說(shuō)，DDR4時(shí)代單條32GB可能便是消費(fèi)級(jí)內(nèi)存的容量天花板了,，可進(jìn)入DDR5時(shí)代,，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的提升，制程工藝和內(nèi)部設(shè)計(jì)的冗余,，使得單條32GB成為業(yè)界主流標(biāo)準(zhǔn),，甚至于后續(xù)單條64GB，乃至于單條128GB,，都將成為可能,。當(dāng)然了，以上容量規(guī)格的誕生,，還需要DDR5技術(shù)進(jìn)一步升級(jí)和優(yōu)化,，以及消費(fèi)用戶的接受程度,，是一個(gè)漫長(zhǎng)的革新過(guò)程；但標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的誕生,，便是內(nèi)存容量擴(kuò)充的積極信號(hào),。
03 工作電壓更低——功耗更低、超頻更強(qiáng)
如果說(shuō)容量和性能的倍增是最為顯著的技術(shù)升級(jí),，那么接下來(lái)的內(nèi)部技術(shù)的升級(jí)和糾正,，則是在更深維度進(jìn)行了迭代優(yōu)化。工作電壓的降低,，便是其中重要的一環(huán),。DDR5內(nèi)存工作電壓低至1.1V，對(duì)比DDR4最低1.2V的工作電壓,，實(shí)現(xiàn)了20%左右的降低,，它的降低擁有兩個(gè)重要意義。其一是功耗方面,，尤其是對(duì)于筆記本產(chǎn)品,，以及企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品而言，20%的功耗降低,，具有顯著的節(jié)能意義,；其二是超頻潛能，起始電壓的降低,，使得后續(xù)進(jìn)行超頻調(diào)參有了更大的可操作空間,，能進(jìn)一步提升內(nèi)存的超頻潛能。
04 On-die ECC下放——糾錯(cuò)能力更強(qiáng),、運(yùn)行更穩(wěn)定實(shí)際上,，隨著晶圓光刻技術(shù)不斷改進(jìn)，DRAM芯片密度不斷提高,，導(dǎo)致數(shù)據(jù)泄露,、數(shù)據(jù)校正、數(shù)據(jù)出錯(cuò)的可能性加大,。尤其是在企業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景下,，為了避免數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的頻繁發(fā)生，業(yè)界便引入ECC糾錯(cuò)機(jī)制,，從而規(guī)避風(fēng)險(xiǎn),，提高可靠性并降低缺陷率。
而全新DDR5內(nèi)存,，為了進(jìn)一步穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸和校正,，迎入了一項(xiàng)類似企業(yè)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景的On-die ECC糾錯(cuò)機(jī)制，該機(jī)制能夠動(dòng)態(tài)糾正數(shù)據(jù)單位錯(cuò)誤，或是數(shù)據(jù)編碼錯(cuò)誤,，為用戶日常應(yīng)用的穩(wěn)定性,，提供技術(shù)保障，這是企業(yè)級(jí)技術(shù)下放到消費(fèi)級(jí)場(chǎng)景的一次大膽嘗試,，也是DDR5內(nèi)存極具創(chuàng)新的重要產(chǎn)品升級(jí),。05 雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增最后一項(xiàng)重要技術(shù)升級(jí),，便是雙32位尋址通道的引入,，其基本原理是將DDR5內(nèi)存模組內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道,，從而有效的提高了內(nèi)存控制器,，進(jìn)行數(shù)據(jù)訪問(wèn)的效率，同時(shí)減少了延遲,。
所以我們可以看到,，單條DDR5內(nèi)存插入電腦后，部分專業(yè)軟件甚至直接識(shí)別為雙通道內(nèi)存,，便是由于DDR5內(nèi)存模組激進(jìn)的將“64位單通道”化為“獨(dú)立32位雙通道”的技術(shù)創(chuàng)新,；當(dāng)然這種雙通道設(shè)計(jì)，和常規(guī)意義上的雙通道還是存在相當(dāng)區(qū)別,，并不能和傳統(tǒng)意義上的兩條內(nèi)存組成雙通道進(jìn)行對(duì)比,，其提升的效果也視應(yīng)用場(chǎng)景有著一定性能差異。但總的來(lái)說(shuō),，雙32位尋址通道的引入,，對(duì)于尋址性能和延遲降低，有著顯著提升作用,，DDR5總體性能的躍升某種意義上和該技術(shù)有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。
06 DDR5新技術(shù)帶來(lái)的思索DDR5內(nèi)存自從去年開(kāi)始展露頭角,，就一直深處風(fēng)口浪尖,，新技術(shù)的到來(lái)，必然會(huì)引發(fā)舊產(chǎn)品的脫節(jié),，新舊產(chǎn)品,、新舊技術(shù)的更迭和換代，是科技行業(yè)無(wú)時(shí)無(wú)刻不在發(fā)生的必然事件,。對(duì)于從業(yè)者而言,，快速了解和接納新技術(shù)新工藝，是繼續(xù)的根本,；對(duì)于消費(fèi)者而言,，新技術(shù)可以不喜歡不看好，卻無(wú)法不接受，深處技術(shù)大躍進(jìn)時(shí)代的你我,，擋不住也躲不了